是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSSOP |
包装说明: | TSSOP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.3 | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 5.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.02 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 0.6 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDW2503W | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | SO | |
FDW2504 | FAIRCHILD |
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Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDW2504P | FAIRCHILD |
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Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDW2504P_02 | FAIRCHILD |
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Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDW2504P_08 | FAIRCHILD |
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Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDW2506 | FAIRCHILD |
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Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDW2506P | FAIRCHILD |
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Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDW2506P_NL | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
FDW2507N | FAIRCHILD |
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Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET | |
FDW2507NZ | FAIRCHILD |
获取价格 |
Common Drain N-Channel 2.5V specified PowerTrench MOSFET |