FDW2502P

更新时间： 2024-11-18 22:31:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	452K
描述
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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FDW2502P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSSOP	包装说明：	TSSOP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.74	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.4 A
最大漏极电流 (ID)：	4.4 A	最大漏源导通电阻：	0.035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-153AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDW2502P 数据手册

May 2000

PRELIMINARY

FDW2502P

Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench^ÒMOSFET

General Description

Features

This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged

gate version of Fairchild's Semiconductor’s advanced

PowerTrench process. It has been optimized for power

management applications with a wide range of gate

drive voltage (2.5V –12V).

–4.4 A, –20 V. R_DS(ON)= 0.035 W @ V_GS= –4.5 V

R_DS(ON)= 0.057 W @ V_GS= –2.5 V.

Extended V_GSSrange (±12V) for battery applications.

High performance trench technology for extremely

Applications

low R_DS(ON)

Load switch

Motor drive

Low profile TSSOP-8 package.

DC/DC conversion

Power management

TSSOP-8

Pin 1

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

–20

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

±12

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

–4.4

–30

P_D

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.0

0.6

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

(Note 1a)

(Note 1b)

125

208

R_qJA

°C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

2502P

FDW2502P

13’’

12mm

3000 units

FDW2502P Rev. C1 (W)

Ó 2000 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6

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FDW2502P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDW2502PZ	FAIRCHILD	类似代替	Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
NTMD6P02R2SG	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET 6 A, 20 V, PâChannel SOICâ8,
IRF7750GPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET® Power MOSFET Ultra Low On-Resistance

与FDW2502P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDW2502P_03	FAIRCHILD	获取价格	Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2502PZ	FAIRCHILD	获取价格	Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2503	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2503N	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2503N_08	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2503N_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDW2503NZ	FAIRCHILD	获取价格	Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2503W	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 5.5A I(D) \| SO
FDW2504	FAIRCHILD	获取价格	Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
FDW2504P	FAIRCHILD	获取价格	Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

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