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FDU8870_NL

更新时间： 2024-11-10 19:43:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 202K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 30V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, IPAK-3

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FDU8870_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-251AA包装说明：LEAD FREE, IPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.38
雪崩能效等级（Eas）：690 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：21 A
最大漏极电流 (ID)：21 A最大漏源导通电阻：0.0044 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-251AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：160 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDU8870_NL 数据手册

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November 2004  
FDD8870 / FDU8870  
®
N-Channel PowerTrench MOSFET  
30V, 160A, 3.9mΩ  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to  
improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers. It has been optimized for low gate charge, low  
•
•
•
r
= 3.9mΩ, V = 10V, I = 35A  
GS D  
DS(ON)  
r
= 4.4mΩ, V = 4.5V, I = 35A  
DS(ON)  
GS  
D
High performance trench technology for extremely low  
r
r
and fast switching speed.  
DS(ON)  
DS(ON)  
•
•
Low gate charge  
Applications  
High power and current handling capability  
•
DC/DC converters  
D
D
G
S
G
I-PAK  
(TO-251AA)  
D-PAK  
(TO-252)  
S
G D S  
MOSFET Maximum Ratings T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
V
V
DSS  
GS  
±20  
Drain Current  
o
160  
150  
A
A
Continuous (T = 25 C, V = 10V) (Note 1)  
C
GS  
o
I
Continuous (T = 25 C, V = 4.5V) (Note 1)  
C GS  
D
o
o
Continuous (T  
= 25 C, V = 10V, with R = 52 C/W)  
θJA  
21  
A
amb  
GS  
Pulsed  
Figure 4  
690  
A
E
P
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
mJ  
AS  
Power dissipation  
160  
W
D
o
o
Derate above 25 C  
1.07  
W/ C  
o
T , T  
Operating and Storage Temperature  
-55 to 175  
C
J
STG  
Thermal Characteristics  
o
R
R
R
Thermal Resistance Junction to Case TO-252, TO-251  
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, TO-251  
0.94  
100  
52  
C/W  
θJC  
θJA  
θJA  
o
C/W  
2
o
Thermal Resistance Junction to Ambient TO-252, 1in copper pad area  
C/W  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDD8870 / FDU8870 Rev. C1  
1234567...11

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