是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-251AA | 包装说明: | IPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 7.13 |
雪崩能效等级(Eas): | 25 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 11 A |
最大漏极电流 (ID): | 35 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0185 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-251AA |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 40 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDU8878_08 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m ohm | |
FDU8878_NL | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
FDU8880 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 58A, 10m | |
FDU8880_08 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET | |
FDU8880_NL | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FDU8882 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDU8882_NL | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDU8896 | FAIRCHILD |
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N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDU8896_F085 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
FDUE0630-H-R12M# | MURATA |
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