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FDMA1029PZ

更新时间： 2024-02-04 19:01:44

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安森美 - ONSEMI		PC 开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	173K
描述
双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-3.1A，95mΩ

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FDMA1029PZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MLP
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.34
外壳连接：	DRAIN	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A
最大漏极电流 (ID)：	3.1 A	最大漏源导通电阻：	0.095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-229VCCC
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDMA1029PZ 数据手册

FDMA1029PZ

TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise noted) (continued)

1000

800

= −3.1 A

f = 1 MHz

= 0 V

= −5 V

−15 V

600

400

200

iss

−10 V

oss

rss

Q , GATE CHARGE (nC)

−V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 7. Gate Charge Characteristics

Figure 8. Capacitance Characteristics

100

SINGLE PULSE

= 173°C/W

T = 25°C

LIMIT

DS(ON)

100 ms

1 ms

10 ms

100 ms

1 s

10 s

= −4.5 V

0.1

SINGLE PULSE

T = 25°C

= 173°C/W

0.01

0.1

100

0.0001 0.001 0.01

0.1

100

1000

−V , DRAIN−SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 9. Maximum Safe Operating Area

Figure 10. Single Pulse Maximum Power Dissipation

D = 0.5

(t) = r(t) x R

=173°C/W

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.1

P(pk)

SINGLE PULSE

T − T = P x R (t)

Duty Cycle, D = t / t

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

t , TIME (s)

Figure 11. Transient Thermal Response Curve

(Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.

Transient thermal response will change depending on the circuit board design.)

www.onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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