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FDMA1029PZ

更新时间： 2024-01-09 00:40:24

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安森美 - ONSEMI		PC 开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	173K
描述
双 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-20V，-3.1A，95mΩ

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FDMA1029PZ 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MLP
包装说明：	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.34
外壳连接：	DRAIN	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A
最大漏极电流 (ID)：	3.1 A	最大漏源导通电阻：	0.095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MO-229VCCC
JESD-30 代码：	S-PDSO-N6	JESD-609代码：	e4
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDMA1029PZ 数据手册

FDMA1029PZ

TYPICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise noted)

2.6

= 4.5 V

3.5 V

3.0 V

2.5 V

= −2.0 V

2.2

1.8

1.4

2.0 V

−2.5 V

−3.0 V

−4.5 V

−3.5 V −4.0 V

1.5 V

0.6

0.4

0.8

1.2

1.6

−V , DRAIN−SOURCE VOLTAGE (V)

−I , DRAIN CURRENT (A)

Figure 1. On−Region Characteristics

Figure 2. On−Resistance Variation with

Drain Current and Gate Voltage

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

0.2

0.16

0.12

0.08

0.04

= −3.1 A

I = −3.1 A

= −4.5 V

T = 125°C

0.9

0.8

0.7

T = 25°C

−50 −25

100 125 150

T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)

−V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 3. On−Resistance Variation with Temperature

Figure 4. On−Resistance Variation with

Gate−to−Source Voltage

100

= −5 V

= 0 V

T = 125°C

0.1

0.01

0.001

0.0001

25°C

−55°C

T = 125°C

−55°C

25°C

0.5

1.5

2.5

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

1.6

−V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)

−V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)

Figure 5. Transfer Characteristics

Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation

with Source Current and Temperature

www.onsemi.com

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