生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | COB |
包装说明: | DIE, | 针数: | 21 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.84 | 模拟集成电路 - 其他类型: | IMAGE SENSOR |
JESD-30 代码: | R-XUUC-N21 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 21 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 封装主体材料: | UNSPECIFIED | |
封装代码: | DIE | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | UNCASED CHIP | 认证状态: | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | UPPER |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FCD4N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FCD4N60TF | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FCD4N60TM | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FCD4N60TM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET®,Easy Drive,600 V,3.9 | |
FCD5N60 | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FCD5N60-F085 | ONSEMI |
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N 沟道,SuperFET®,600 V,4.6 A,0.86 Ω | |
FCD5N60TF | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FCD5N60TM | FAIRCHILD |
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600V N-Channel MOSFET | |
FCD5N60TM | ONSEMI |
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功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET®,Easy Drive,600 V,4.6 | |
FCD5N60TM_WS | FAIRCHILD |
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