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EMB20N03VL

更新时间： 2024-11-19 17:15:27

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EDFN3X3

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EMB20N03VL 数据手册

EMB20N03VL

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary:

BVDSS

30V

20mΩ

30mΩ

22A

R_{DSON (MAX.)}@V_GS=10V

R_{DSON (MAX.)}@V_GS=4.5V

I_D@T_C=25°C

Single N‐Channel MOSFET

UIS, Rg 100% Tested

Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_A= 25 °C Unless Otherwise Noted)

PARAMETERS/TEST CONDITIONS

SYMBOL

LIMITS

±20

UNIT

Gate‐Source Voltage

V_GS

T_C= 25 °C

Continuous Drain Current

I_D

T_A= 25 °C

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current¹

I_DM

I_AS

Avalanche Current

L = 0.1mH, I_AS=10A, RG=25Ω

L = 0.05mH

Avalanche Energy

E_AS

E_AR

Repetitive Avalanche Energy²

2.5

20.8

8.3

2.5

T_C= 25 °C

Power Dissipation

P_D

T_C= 100 °C

T_A= 25 °C

P_D

°C

T_A= 100 °C

Operating Junction & Storage Temperature Range

T_j, T_stg

‐55 to 150

2019/08/26

p.1

12 3 4 5 6 7

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