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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-107 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | Factory Lead Time： | 13 weeks |
| 风险等级： | 5.71 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.36 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DDA123JH-7 | DIODES |
类似代替  |
PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-563 DUAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EMB11 | HTSEMI |
获取价格 |
dual digital transistors (PNP PNP) |
|
| EMB11 | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
|
| EMB11 | CJ |
获取价格 |
SOT-563 |
|
| EMB11A03G | EXCELLIANCE |
获取价格 |
SOP-8 |
|
| EMB11T2R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, EMT6, 6 |
|
| EMB12B03H | EXCELLIANCE |
获取价格 |
EDFN5X6 |
|
| EMB12N03G | EXCELLIANCE |
获取价格 |
SOP-8 |
|
| EMB12N03HR | EXCELLIANCE |
获取价格 |
EDFN5X6 |
|
| EMB12N03V | EXCELLIANCE |
获取价格 |
EDFN3X3 |
|
| EMB12N04A | EXCELLIANCE |
获取价格 |
TO252-2 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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