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EM6K1

更新时间： 2024-09-17 22:30:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 86K
描述
Small switching (30V, 0.1A)

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EM6K1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：0.1 A
最大漏源导通电阻：8 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

EM6K1 数据手册

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EM6K1  
Transistor  
Small switching (30V, 0.1A)  
EM6K1  
!External dimensions (Units : mm)  
!Features  
1) Two 2SK3019 transistors in a single EMT package.  
2) The MOSFET elements are independent, eliminating  
interference.  
3) Mounting cost and area can be cut in half.  
4) Low on-resistance.  
EMT6  
( )  
4
( )  
5
( )  
6
( )  
3
( )  
2
( )  
1
1.2  
1.6  
5) Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for  
portable equipment.  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : K1  
!Applications  
Interfacing, switching (30V, 100mA)  
!Equivalent circuit  
Gate  
!Structure  
Silicon N-channel  
MOSFET  
(6)  
(5)  
(4)  
Protection  
Diode  
∗
Tr1  
!Packaging specifications  
Package  
Code  
Taping  
T2R  
Tr2  
(1)Tr1 Source  
(2)Tr1 Gate  
(3)Tr2 Drain  
(4)Tr2 Source  
(5)Tr2 Gate  
(6)Tr1 Drain  
Basic ordering unit  
(pieces)  
Type  
8000  
∗
Gate  
Protection  
Diode  
(1)  
(2)  
(3)  
EM6K1  
∗ A protection diode has been built in between the gate and  
the source to protect against static electricity when the product  
is in use. Use the protection circuit when rated voltages are exceeded.  
!Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Drain−source voltage  
Gate−source voltage  
Symbol  
Limits  
30  
Unit  
V
V
DSS  
V
GSS  
20  
V
Continuous  
Pulsed  
I
D
100  
400  
100  
400  
mA  
mA  
mA  
mA  
Drain current  
∗
∗
1
I
DP  
Continuous  
Pulsed  
I
DR  
Reverse drain current  
1
2
I
DRP  
∗
mW/TOTAL  
120mW/1ELEMENT  
Total power dissipation (Tc=25°C)  
P
D
150  
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55~+150  
∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%  
∗2 With each pin mounted on the recommended lands.  
1234

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与EM6K1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EM6K1_1 ROHM

获取价格

 		2.5V Drive Nch+Nch MOS FET
EM6K18000 ROHM

获取价格

 		Small switching (30V, 0.1A)
EM6K1T2R ROHM

获取价格

 		Small switching (30V, 0.1A)
EM6K31 ROHM

获取价格

 		2.5V Drive Nch Nch MOSFET
EM6K31_1009 ROHM

获取价格

 		2.5V Drive Nch Nch MOSFET
EM6K31T2R ROHM

获取价格

 		2.5V Drive Nch Nch MOSFET
EM6K33 ROHM

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 		1.2V Drive Nch + Nch MOSFET
EM6K33T2R ROHM

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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 		Small Signal Field-Effect Transistor,
EM6K34 ROHM

获取价格

 		0.9V Drive Nch + Nch MOSFET

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