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EM6K34T2CR

更新时间： 2024-09-21 20:01:39

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罗姆 - ROHM		/
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6页	1055K
描述
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6

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EM6K34T2CR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.71	Samacsys Description：	MOSFET,dual,N-channel,50V,200mA,SOT563 ROHM EM6K34T2CR Dual N-channel MOSFET Transistor, ±200 mA, 50 V, 6-Pin SOT-563
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EM6K34T2CR 数据手册

0.9V Drive Nch + Nch MOSFET

EM6K34

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET

EMT6

SOT-563

(6) (5)

(4)

Features

1) High speed switing.

2) Small package(EMT6).

3)Ultra low voltage drive(0.9V drive).

(1) (2)

(3)

Abbreviated symbol : K34

 Application

Switching

 Inner circuit

(6)

(5)

(4)

 Packaging specifications

∗1

Package

Taping

T2R

8000



Type

Code

∗2

Basic ordering unit (pieces)

EM6K34

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Drain

(4) Tr2 Source

(5) Tr2 Gate

(6) Tr1 Drain

∗1

(1)

(2)

(3)

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

 Absolute maximum ratings (T_a= 25C)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

8

Continuous

200

800

125

800

Drain current

Pulsed

I_DP

I_s

Continuous

Pulsed

Source current

(Body Diode)

I_sp

150

120

mW / TOTAL

P_D

Power dissipation

mW / ELEMENT

Channel temperature

Tch

150

C

Range of storage temperature

*1 Pw10s, Duty cycle1%

Tstg

55 to +150

*2 Each terminal mounted on a recommended land.

 Thermal resistance

Parameter

Symbol

Limits

833

Unit

C/ W /TOTAL

C/ W /ELEMENT

Channel to Ambient

Rth (ch-a)

1042

* Each terminal mounted on a recommended land.

www.rohm.com

2010.11 - Rev.A

1/5

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