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EDI88512CA25TC

更新时间： 2024-01-15 05:27:05

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EDI88512CA25TC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	25 ns	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
长度：	40.64 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	3.937 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EDI88512CA25TI	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA25TM	ETC	获取价格	x8 SRAM
EDI88512CA35B32B	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, DFP-32
EDI88512CA35B32C	ETC	获取价格	x8 SRAM
EDI88512CA35B32I	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, DFP-32
EDI88512CA35B32M	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, DFP-32
EDI88512CA35CB	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA35CB	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA35CC	ETC	获取价格	x8 SRAM
EDI88512CA35CI	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32