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EDI88512CA35B32C

更新时间： 2024-02-13 11:36:57

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EDI88512CA35B32C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DFP
包装说明：	CERAMIC, DFP-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.06
最长访问时间：	35 ns	其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; LG-MAX
JESD-30 代码：	R-CDSO-G32	长度：	21.2852 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.9972 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.8712 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EDI88512CA35B32I	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, DFP-32
EDI88512CA35B32M	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, DFP-32
EDI88512CA35CB	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA35CB	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA35CC	ETC	获取价格	x8 SRAM
EDI88512CA35CI	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA35CI	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA35CM	ETC	获取价格	x8 SRAM
EDI88512CA35F32B	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, DFP-32
EDI88512CA35F32C	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, DFP-32