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EDI88512CA35NI

更新时间： 2024-02-08 06:38:21

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EDI88512CA35NI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.025 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.225 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EDI88512CA35NM	ETC	获取价格	x8 SRAM
EDI88512CA35TB	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA35TB	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA35TC	ETC	获取价格	x8 SRAM
EDI88512CA35TI	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA35TI	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA35TM	ETC	获取价格	x8 SRAM
EDI88512CA45B32B	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, DFP-32
EDI88512CA45B32C	ETC	获取价格	x8 SRAM
EDI88512CA45B32I	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, DFP-32