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EDI88512CA45B32C

更新时间: 2024-01-30 20:16:52
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器输出元件输入元件
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9页 387K
描述
x8 SRAM

EDI88512CA45B32C 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.06
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
其他特性:TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTSI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CDSO-G32JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:SOP
封装等效代码:SOP32,.56封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.025 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.225 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

EDI88512CA45B32C 数据手册

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