5秒后页面跳转
EDI88512CA45N36C PDF预览

EDI88512CA45N36C

更新时间: 2024-01-11 13:22:57
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 387K
描述
x8 SRAM

EDI88512CA45N36C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.02
Is Samacsys:N最长访问时间:45 ns
其他特性:TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTSI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-CDSO-J36JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:36
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ36,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.025 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.225 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

EDI88512CA45N36C 数据手册

 浏览型号EDI88512CA45N36C的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EDI88512CA45N36C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号EDI88512CA45N36C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号EDI88512CA45N36C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号EDI88512CA45N36C的Datasheet PDF文件第6页浏览型号EDI88512CA45N36C的Datasheet PDF文件第7页 

与EDI88512CA45N36C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDI88512CA45N36I MERCURY

获取价格

Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36
EDI88512CA45N36M MICROSEMI

获取价格

Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36
EDI88512CA45NB MERCURY

获取价格

Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
EDI88512CA45NC ETC

获取价格

x8 SRAM
EDI88512CA45NI MICROSEMI

获取价格

Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
EDI88512CA45NI MERCURY

获取价格

Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDSO32, CERAMIC, SOJ-32
EDI88512CA45NM ETC

获取价格

x8 SRAM
EDI88512CA45TB MICROSEMI

获取价格

Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
EDI88512CA45TC ETC

获取价格

x8 SRAM
EDI88512CA45TI MICROSEMI

获取价格

Standard SRAM, 512KX8, 45ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32