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EDI88512CA55F36M

更新时间: 2024-02-02 14:02:03
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 387K
描述
x8 SRAM

EDI88512CA55F36M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CERAMIC, FP-36
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.57
最长访问时间:55 nsJESD-30 代码:R-CDFP-F36
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:36字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:512KX8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

EDI88512CA55F36M 数据手册

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