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EDI88512CA45F32M

更新时间: 2024-02-23 21:48:09
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其他 - ETC 静态存储器
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9页 387K
描述
x8 SRAM

EDI88512CA45F32M 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Contact Manufacturer
包装说明:CERAMIC, DFP-32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.63最长访问时间:45 ns
其他特性:TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; LG-MAXJESD-30 代码:R-CDFP-F32
长度:21.2852 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:512KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:DFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.8448 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.7442 mmBase Number Matches:1

EDI88512CA45F32M 数据手册

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