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EDI88512CA35F36I

更新时间： 2024-01-20 06:25:10

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EDI88512CA35F36I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.63
最长访问时间：	35 ns	其他特性：	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CDFP-F32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL36,.5
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.025 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.225 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EDI88512CA35F36M	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDFP36, CERAMIC, DFP-36
EDI88512CA35KB	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, LCC-36
EDI88512CA35KC	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, LCC-36
EDI88512CA35KI	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, LCC-36
EDI88512CA35KM	ETC	获取价格	x8 SRAM
EDI88512CA35N36B	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36
EDI88512CA35N36C	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36
EDI88512CA35N36I	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36
EDI88512CA35N36I	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36
EDI88512CA35N36M	MICROSEMI	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 35ns, CMOS, CDSO36, CERAMIC, SOJ-36