Datasheet > 存储 > DRAM> EDE5108ABSE-BE-E

EDE5108ABSE-BE-E

更新时间： 2024-11-08 06:55:55

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
65页	667K
描述
512M bits DDR2 SDRAM for HYPER DIMM

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EDE5108ABSE-BE-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	64	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.82	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.45 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B64	JESD-609代码：	e1
长度：	13.8 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	64	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.12 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.85 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.3 mm	Base Number Matches：	1

EDE5108ABSE-BE-E 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

512M bits DDR2 SDRAM

for HYPER DIMM

EDE5108ABSE-BE, -AE (64M words × 8 bits)

Description

Features

The EDE5108AB is a 512M bits DDR2 SDRAM

• 1.8V power supply

organized as 16,777,216 words × 8 bits × 4 banks.

• Double-data-rate architecture: two data transfers per

clock cycle

It is packaged in 64-ball FBGA package.

• Bi-directional, differential data strobe (DQS and

/DQS) is transmitted/received with data, to be used in

capturing data at the receiver

• DQS is edge aligned with data for READs: center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge: data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Four internal banks for concurrent operation

• Data mask (DM) for write data

• Burst lengths: 4, 8

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5

• Auto precharge operation for each burst access

• Auto refresh and self refresh modes

• 7.8µs average periodic refresh interval

• 1.8V (SSTL_18 compatible) I/O

• Posted CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• Programmable RDQS, /RDQS output for making × 8

organization compatible to × 4 organization

• /DQS, (/RDQS) can be disabled for single-ended

Data Strobe operation.

• FBGA package with lead free solder

(Sn-Ag-Cu)

Document No. E0540E11 (Ver. 1.1)

Date Published February 2006 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

This Product became EOL in October, 2006.

Elpida Memory, Inc. 2004-2006

12 3 4 5 6 7...65

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