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EDD2508AETA-6B-E

更新时间： 2024-11-07 03:33:27

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
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52页	574K
描述
256M bits DDR SDRAM

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EDD2508AETA-6B-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e6	长度：	22.22 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	50	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

EDD2508AETA-6B-E 数据手册

DATA SHEET

256M bits DDR SDRAM

EDD2508AETA (32M words × 8 bits)

EDD2516AETA (16M words × 16 bits)

Features

Specifications

• Density: 256M bits

• Organization

8M words × 8 bits × 4 banks (EDD2508AETA)

4M words × 16 bits × 4 banks (EDD2516AETA)

• Package: 66-pin plastic TSOP (II)

Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply:

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 2 bits

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional data strobe (DQS) is transmitted

/received with data for capturing data at the receiver

• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with

DQS

DDR400:

VDD, VDDQ = 2.6V ± 0.1V

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

DDR333, 266: VDD, VDDQ = 2.5V ± 0.2V

• Data rate: 400Mbps/333Mbps/266Mbps (max.)

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: SSTL_2

• Burst lengths (BL): 2, 4, 8

• Burst type (BT):

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

Sequential (2, 4, 8)

Interleave (2, 4, 8)

• /CAS Latency (CL): 2, 2.5, 3

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: normal/weak

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period: 7.8µs

• Operating ambient temperature range

TA = 0°C to +70°C

Document No. E0859E50 (Ver. 5.0)

Date Published September 2007 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2006-2007

12 3 4 5 6 7...52

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