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EDD2508AKTA-5B

更新时间： 2024-09-16 22:30:39
品牌 Logo 应用领域
尔必达 - ELPIDA 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
48页 531K
描述
256M bits DDR SDRAM (32M words x 8 bits, DDR400)

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EDD2508AKTA-5B 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSSOP66,.46针数：66
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.24风险等级：5.92
Is Samacsys：N访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.7 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：200 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：2,4,8JESD-30 代码：R-PDSO-G66
JESD-609代码：e0长度：22.22 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：DDR DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：66
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSSOP66,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：235电源：2.6 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：8192
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：2,4,8最大待机电流：0.003 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.7 V最小供电电压 (Vsup)：2.5 V
标称供电电压 (Vsup)：2.6 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

EDD2508AKTA-5B 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET  
256M bits DDR SDRAM  
EDD2508AKTA-5 (32M words × 8 bits, DDR400)  
Description  
Pin Configurations  
The EDD2508AKTA-5 is a 256M bits DDR SDRAM  
organized as 8,388,608 words × 8 bits × 4 banks.  
Read and write operations are performed at the cross  
points of the CK and the /CK. This high-speed data  
transfer is realized by the 2 bits prefetch-pipelined  
architecture. Data strobe (DQS) both for read and  
write are available for high speed and reliable data bus  
design. By setting extended mode register, the on-chip  
Delay Locked Loop (DLL) can be set enable or disable.  
/xxx indicates active low signal.  
66-pin Plastic TSOP(II)  
VDD  
DQ0  
VDDQ  
NC  
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
VSS  
DQ7  
VSSQ  
NC  
DQ6  
VDDQ  
NC  
DQ5  
VSSQ  
NC  
DQ4  
VDDQ  
NC  
1
2
3
4
DQ1  
VSSQ  
NC  
5
6
7
DQ2  
VDDQ  
NC  
DQ3  
VSSQ  
NC  
NC  
VDDQ  
NC  
8
9
It is packaged in 66-pin plastic TSOP (II).  
10  
11  
12  
13  
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30  
31  
32  
33  
Features  
NC  
• Power supply: VDDQ = 2.6V ± 0.1V  
: VDD = 2.6V ± 0.1V  
• Data rate: 400Mbps (max.)  
VSSQ  
DQS  
NC  
VREF  
VSS  
DM  
NC  
VDD  
NC  
• Double Data Rate architecture; two data transfers per  
clock cycle  
NC  
/WE  
/CAS  
/RAS  
/CS  
/CK  
CK  
• Bi-directional, data strobe (DQS) is transmitted  
/received with data, to be used in capturing data at  
the receiver  
CKE  
NC  
A12  
A11  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
NC  
• Data inputs, outputs, and DM are synchronized with  
BA0  
BA1  
A10(AP)  
A0  
A1  
A2  
A3  
VDD  
DQS  
• 4 internal banks for concurrent operation  
• DQS is edge aligned with data for READs; center  
aligned with data for WRITEs  
A4  
VSS  
• Differential clock inputs (CK and /CK)  
• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK  
(Top view)  
transitions  
• Commands entered on each positive CK edge; data  
A0 to A12  
BA0, BA1  
DQ0 to DQ7  
DQS  
Address input  
Bank select address  
Data-input/output  
Input and output data strobe  
Chip select  
Row address strobe command  
Column address strobe command  
Write enable  
Input mask  
Clock input  
Differential clock input  
Clock enable  
Input reference voltage  
Power for internal circuit  
Ground for internal circuit  
Power for DQ circuit  
Ground for DQ circuit  
No connection  
and data mask referenced to both edges of DQS  
• Data mask (DM) for write data  
• Auto precharge option for each burst access  
• SSTL_2 compatible I/O  
• Programmable burst length (BL): 2, 4, 8  
• Programmable /CAS latency (CL): 3  
• Programmable output driver strength: normal/weak  
• Refresh cycles: 8192 refresh cycles/64ms  
7.8µs maximum average periodic refresh interval  
• 2 variations of refresh  
/CS  
/RAS  
/CAS  
/WE  
DM  
CK  
/CK  
CKE  
VREF  
VDD  
VSS  
VDDQ  
VSSQ  
NC  
Auto refresh  
Self refresh  
Document No. E0349E60 (Ver. 6.0)  
Date Published February 2005 (K) Japan  
Printed in Japan  
URL: http://www.elpida.com  
Elpida Memory, Inc. 2003-2005  
1234567...48

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与EDD2508AKTA-5B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EDD2508AKTA-5B-E ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM (32M words x 8 bits, DDR400)
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 		256M bits DDR SDRAM (32M words x 8 bits, DDR400)
EDD2508AKTA-5-E ELPIDA

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 		256M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
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