Datasheet > DSA35-12A

DSA35-12A

更新时间： 2024-11-17 22:40:39

品牌	Logo	应用领域
IXYS		整流二极管
页数	文件大小	规格书
2页	43K
描述
Rectifier Diode Avalanche Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DSA35-12A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	DO-5
包装说明：	O-MUPM-D1	针数：	1
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.57
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ANODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-203AB
JESD-30 代码：	O-MUPM-D1	最大非重复峰值正向电流：	650 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	180 °C
最大输出电流：	49 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

DSA35-12A 数据手册

DS 35

DSA 35

DSI 35

DSAI 35

V_RRM= 800-1800 V

I_F(RMS)= 80 A

I_F(AV)M= 49 A

Rectifier Diode

Avalanche Diode

DO-203 AB

V_RSM

V_(BR)min① V_RRM

Anode

Cathode

on stud

DSA

DSI

DSAI

900

1300

800

1200

DS35-08A

DS35-12A

DSI35-08A

DSI35-12A

1300

1700

1900

1300

1750

1950

1200

1600

1800

DSA35-12A

DSA35-16A

DSA35-18A

DSAI35-12A

DSAI35-16A

DSAI35-18A

1/4-28UNF

① Only for Avalanche Diodes

A = Anode C = Cathode

Symbol

Test Conditions

T_VJ= T_VJM

T_case= 100°C; 180° sine

Maximum Ratings

I_F(RMS)

I_F(AVM)

Features

①

International standard package,

JEDEC DO-203 AB (DO-5)

Planar glassivated chips

P_RSM

I_FSM

DSA(I) types, T_VJ= T_VJM, t_p= 10 ms

①

T_VJ= 45°C;

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

650

690

V_R= 0

Applications

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

600

640

①

High power rectifiers

Field supply for DC motors

①

I²t

T_VJ= 45°C

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

2100

2000

A²s

①

Power supplies

Advantages

T_VJ= T_VJM

V_R= 0

t = 10 ms (50 Hz), sine

t = 8.3 ms (60 Hz), sine

1800

1700

A²s

①

Space and weight savings

Simple mounting

Improved temperature and power

cycling

①

T_VJ

T_VJM

T_stg

-40...+180

180

-40...+180

°C

①

Reduced protection circuits

M_d

Mounting torque

4.5-5.5

40-49

lb.in.

Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")

Weight

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

I_R

T_VJ= T_VJM; V_R= V_RRM

I_F= 150 A; T_VJ= 25°C

V_F

1.55

V_T0

r_T

For power-loss calculations only

T_VJ= T_VJM

0.85

4.5

R_thJC

R_thJH

DC current

1.05

1.25

K/W

d_S

d_A

Creepage distance on surface

Strike distance through air

Max. allowable acceleration

4.05

3.9

100

m/s²

Data according to IEC 60747

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions

1 - 2

中文翻译

下载PDF

DSA35-12A 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DS35-12A	IXYS	类似代替	Rectifier Diode Avalanche Diode

与DSA35-12A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSA35-16A	IXYS	获取价格	Rectifier Diode Avalanche Diode
DSA35-16A	NJSEMI	获取价格	Diode 1.6KV 49A 2-Pin DO-203AB
DSA35-18A	IXYS	获取价格	Rectifier Diode Avalanche Diode
DSA35-18A	NJSEMI	获取价格	Diode 1.8KV 49A 2-Pin DO-203AB
DSA3A	HITACHI	获取价格	GENERAL-USE RECTIFIER DIODE
DSA3A1	HITACHI	获取价格	GENERAL-USE RECTIFIER DIODE
DSA3A2	HITACHI	获取价格	GENERAL-USE RECTIFIER DIODE
DSA3A4	HITACHI	获取价格	GENERAL-USE RECTIFIER DIODE
DSA3G01	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE
DSA3G0100L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGE

与DSA35-12A相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DSA35-12A

DSA35-12A 技术参数

DSA35-12A 数据手册

DSA35-12A 替代型号

与DSA35-12A相关器件

与DSA35-12A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DSA35-12A

DSA35-12A 技术参数

DSA35-12A 数据手册

DSA35-12A 替代型号

与DSA35-12A相关器件

与DSA35-12A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？