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DSA4005S0A PDF预览

DSA4005S0A

更新时间： 2024-11-07 20:03:55
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 488K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, NS-B2-B-B, 3 PIN

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DSA4005S0A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

DSA4005S0A 数据手册

 浏览型号DSA4005S0A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DSA4005S0A的Datasheet PDF文件第3页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DSA4005  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For general amplification  
Complementary to DSC4005  
DSA2005 in NS through hole type package  
Features  
Package  
ꢀCode  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction  
Eco-friendly Halogen-free package  
NS-B2-B-B  
Package dimension clicks here.→  
Click!  
Packaging  
ame  
ter  
2. Collector  
3. Base  
DSA4005×0A Radial type : 5000 pcs / carton  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector pen)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCO  
EBO  
IC  
ng  
–60  
Unit  
V
Marking Symbol: A3  
–50  
V
–6  
V
–20
–300  
300  
mA  
mA  
mW  
°C  
Peak collector current  
ICP  
Collector power dissipaon  
Junction temperaure  
150  
Storage tperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parer  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emittopen)  
Collector-base cutofmitter open)  
Emitter-base cutoff curre(Collector open)  
VCEO IC = –100 mA, IB = 0  
–50  
ICBO  
IEBO  
VCB = –60 V, IE = 0  
– 0.1  
– 0.1  
390  
mA  
mA  
VEB = –6 V, IC = 0  
2
*
hFE1  
hFE2  
VCE = –6 V, IC = –1 mA  
VCE = –6 V, IC = – 0.1 mA  
150  
90  
1
Forward current transfer ratio *  
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = –100 mA, IB = –10 mA  
– 0.3  
V
Transition frequency  
fT  
VCE = –6 V, IC = –10 mA  
150  
5.0  
MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = –6 V, IE = 0, f = 1 MHz  
pF  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Code  
Rank  
R
R
S
S
0
No-rank  
150 to 390  
A3  
hFE1  
150 to 270  
A3R  
200 to 390  
A3S  
Marking Symbol  
Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.  
Publication date: February 2012  
Ver. AED  
1
123

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