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DSA5002-R PDF预览

DSA5002-R

更新时间： 2024-11-07 19:46:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 539K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2-B, 3 PIN

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DSA5002-R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.76
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：130 MHzBase Number Matches：1

DSA5002-R 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DSA5002  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For general amplification  
Complementary to DSC5002  
DSA2002 in SMini3 type package  
Features  
Package  
ꢀCode  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
Eco-friendly Halogen-free package  
SMini3-F2-B  
ꢀPin Name  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
Packaging  
Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
Marking Symbol: A2  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
–60  
Unit  
V
–50  
V
–5  
V
–500  
–1  
mA  
A
Peak collector current  
ICP  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
150  
mW  
°C  
°C  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
–60  
–50  
–5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
VCBO IC = –10 mA, IE = 0  
VCEO IC = –2 mA, IB = 0  
VEBO IE = –10 mA, IC = 0  
V
V
ICBO  
VCB = –20 V, IE = 0  
– 0.1  
340  
mA  
2
*
hFE1  
hFE2  
VCE = –10 V, IC = –150 mA  
VCE = –10 V, IC = –500 mA  
120  
40  
1
Forward current transfer ratio *  
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = –300 mA, IB = –30 mA  
VBE(sat) IC = –300 mA, IB = –30 mA  
– 0.2  
– 0.9  
130  
– 0.6  
–1.5  
V
V
1
Base-emitter saturation voltage *  
Transition frequency  
fT  
VCE = –10 V, IC = –50 mA  
MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = –10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
7.3  
15  
pF  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Code  
Rank  
R
R
S
S
0
No-rank  
120 to 340  
A2  
hFE1  
120 to 240  
A2R  
170 to 340  
A2S  
Marking Symbol  
Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.  
Publication date: January 2011  
Ver. CED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSA5002R0L PANASONIC

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