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DSA4G01B

更新时间： 2024-11-07 18:49:51

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	400K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1-B-B, 3 PIN

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DSA4G01B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.03 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	70
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

DSA4G01B 数据手册

DSA4G01

Total pages

page

Tentative

DSA4G01

Silicon PNP epitaxial planar type

For High-frequency Amplifier

Marking Symbol A4

Package Code : NS-B1-B-B

Absolute Maximum RatingsꢀTa = 25 °C

1. Emitter

2. Collector

3. Base

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

VCBO

VCEO

VEBO

Rating

-30

-20

-5

-30

Unit

Pin name

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

300

150

-55 to +150

Storage temperature

Tstg

Electrical CharacteristicsꢀTa = 25 °C±3 °C

Parameter

Symbol

ICBO

ICEO

IEBO

hFE

Conditions

Min Typ Max

Unit

μA

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

VCB = -10 V, IE = 0

VCE = -20 V, IB = 0

VEB = -5 V, IC = 0

-0.1

-100

-10

VCE = -10 V, IC = -1 mA

220

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Transition frequency

VCE(sat) IC = -10 mA, IB = -1 mA

-0.1

-0.7

150 300

MHz

VBE

VCE = -10 V, IC = -1 mA

VCE = -10 V, IC = -1mA,

f = 10.7 MHz

Small-signal revers transfer capacitance

Cre

1.0

Noise figuer

Feedback impedance

methods for transistors.

Zrb

VCE = -10 V, IC = -1 mA, f = 5 MHz

VCE = -10 V, IC = -1 mA, f = 2 MHz

2.8

*1 Rank classification

Code

Rank

No-rank

hFE

70 to 140 110 to 220

70 to 220

Marking symbol

A4B A4C

Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.

Packing

Radial type : 5 000 pcs / carton

2010.2.23

Prepared

2010.8.17

Revised

Semiconductor Company, Panasonic Corporation

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSA4G01C	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1-
DSA5001	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DSA5001-R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DSA5001R0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DSA5001-S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DSA5001S0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DSA500200L	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type
DSA5002-R	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DSA5002R0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DSA5002S0L	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN

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