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DSA4005 PDF预览

DSA4005

更新时间： 2024-11-21 20:05:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 477K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FREE AND HALOGEN FREE, NS-B1-B, 3 PIN

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DSA4005 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.8最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：210JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

DSA4005 数据手册

 浏览型号DSA4005的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DSA4005的Datasheet PDF文件第3页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DSA4005  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For general amplification  
Complementary to DSC4005  
DSA2005 in NS through hole type package  
Features  
Package  
ꢀCode  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction  
Eco-friendly Halogen-free package  
NS-B2-B-B  
Package dimension clicks here.→  
Click!  
Packaging  
ꢀPin Name  
1. Emitter  
2. Collector  
3. Base  
DSA4005×0A Radial type : 5000 pcs / carton  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
–60  
Unit  
V
Marking Symbol: A3  
–50  
V
–6  
V
–200  
–300  
300  
mA  
mA  
mW  
°C  
Peak collector current  
ICP  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
VCEO IC = –100 mA, IB = 0  
–50  
ICBO  
IEBO  
VCB = –60 V, IE = 0  
– 0.1  
– 0.1  
390  
mA  
mA  
VEB = –6 V, IC = 0  
2
*
hFE1  
hFE2  
VCE = –6 V, IC = –1 mA  
VCE = –6 V, IC = – 0.1 mA  
150  
90  
1
Forward current transfer ratio *  
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = –100 mA, IB = –10 mA  
– 0.3  
V
Transition frequency  
fT  
VCE = –6 V, IC = –10 mA  
150  
5.0  
MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = –6 V, IE = 0, f = 1 MHz  
pF  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Code  
Rank  
R
R
S
S
0
No-rank  
150 to 390  
A3  
hFE1  
150 to 270  
A3R  
200 to 390  
A3S  
Marking Symbol  
Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.  
Publication date: February 2012  
Ver. AED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSA400500A PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DSA4005O0A PANASONIC

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 		Transistor
DSA4005R PANASONIC

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 		Transistor,
DSA4005R0A PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
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