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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMP2004DMK-7
DMP2004DMK-7 PDF预览

DMP2004DMK-7

更新时间： 2024-02-09 19:28:43
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 218K
描述
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP2004DMK-7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：5.6Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：1340853
Samacsys Pin Count：6Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category：SOT23 (6-Pin)Samacsys Footprint Name：DMP2004DMK-7
Samacsys Released Date：2019-03-27 09:51:05Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.55 A
最大漏极电流 (ID)：0.55 A最大漏源导通电阻：0.9 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：20 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMP2004DMK-7 数据手册

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DMP2004DMK  
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Dual P-Channel MOSFET  
Low On-Resistance  
•
•
Case: SOT-26  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals Connections: See Diagram  
Terminals: Finish ⎯ Matte Tin annealed over Copper  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
Weight: 0.015 grams (approximate)  
Very Low Gate Threshold Voltage VGS(th) < 1V  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
ESD Protected Gate  
•
•
•
•
•
•
"Green" Device (Note 3)  
Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability  
G1  
S1  
D2  
SOT-26  
ESD PROTECTED  
TOP VIEW  
G2  
S2  
D1  
TOP VIEW  
Internal Schematic  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Value  
-20  
Units  
V
Gate-Source Voltage  
±8  
V
Drain Current (Note 1)  
-550  
-1.9  
mA  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
Thermal Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Pd  
Rθ  
Value  
500  
Units  
mW  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
250  
°C/W  
JA  
-55 to +150  
°C  
Tj, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 4)  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
-20  
⎯
⎯
V
BVDSS  
⎯
⎯
⎯
⎯
-1.0  
VGS = 0V, ID = -250mA  
VDS = -20V, VGS = 0V  
VGS = ±4.5V, VDS = 0V  
μA  
μA  
IDSS  
Gate-Source Leakage  
IGSS  
±1.0  
ON CHARACTERISTICS (Note 4)  
Gate Threshold Voltage  
-0.5  
-1.0  
V
VGS(th)  
⎯
VDS = VGS, ID = -250μA  
VGS = -4.5V, ID = -430mA  
VGS = -2.5V, ID = -300mA  
0.7  
1.1  
1.7  
0.9  
1.4  
2.0  
Static Drain-Source On-Resistance  
RDS (ON)  
⎯
Ω
V
GS = -1.8V, ID = -150mA  
VDS =10V, ID = -0.2A  
GS = 0V, IS = 115mA  
Forward Transfer Admittance  
Diode Forward Voltage (Note 4)  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
200  
-0.5  
mS  
V
|Yfs|  
VBSD  
⎯
⎯
⎯
-1.2  
V
175  
30  
20  
pF  
pF  
pF  
Ciss  
Coss  
Crss  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
VDS = -16V, VGS = 0V  
f = 1.0MHz  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB.  
2. No purposefully added lead.  
3. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
4. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
1 of 4  
www.diodes.com  
November 2007  
© Diodes Incorporated  
DMP2004DMK  
Document number: DS30939 Rev. 3 - 2  
1234

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DMP2004DWK DIODES DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP2004DWK-7 DIODES DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP2004K DIODES P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP2004K-7 DIODES P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP2004K-7-F TYSEMI Product specification

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DMP2004KQ-7 DIODES Small Signal Field-Effect Transistor, 0.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal

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