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DMP2004TK-7

更新时间： 2024-01-19 05:44:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 133K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP2004TK-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：1.03其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.43 A最大漏极电流 (ID)：0.43 A
最大漏源导通电阻：1.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：20 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

DMP2004TK-7 数据手册

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DMP2004TK  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Low On-Resistance  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
ESD Protected Gate  
"Green" Device (Note 4)  
Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability  
•
•
Case: SOT-523  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals: Finish ⎯ Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking Information: See Page 3  
Ordering Information: See Page 3  
•
•
•
•
•
•
Weight: 0.002 grams (approximate)  
Drain  
SOT-523  
D
Gate  
TOP VIEW  
S
G
Gate  
Protection  
Diode  
ESD PROTECTED  
Source  
TOP VIEW  
Equivalent Circuit  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
-20  
±8  
Units  
V
V
Gate-Source Voltage  
VGSS  
Drain Current (Note 1)  
Steady  
State  
-430  
-310  
T
T
= 25°C  
= 85°C  
A
mA  
mA  
ID  
A
Pulsed Drain Current (Note 3)  
-750  
IDM  
Thermal Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
PD  
Value  
150  
Units  
mW  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
833  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 5)  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
-20  
⎯
⎯
V
BVDSS  
IDSS  
IGSS  
⎯
⎯
⎯
⎯
-1.0  
VGS = 0V, ID = -250mA  
VDS = -20V, VGS = 0V  
VGS = ±4.5V, VDS = 0V  
μA  
μA  
±1.0  
ON CHARACTERISTICS (Note 5)  
Gate Threshold Voltage  
-0.5  
-1.0  
V
VGS(th)  
⎯
VDS = VGS, ID = -250μA  
GS = -4.5V, ID = -430mA  
VGS = -2.5V, ID = -300mA  
VGS = -1.8V, ID = -150mA  
VDS =10V, ID = 0.2A  
V
0.7  
1.1  
1.7  
1.1  
1.6  
2.4  
Static Drain-Source On-Resistance  
RDS (ON)  
⎯
Ω
Forward Transfer Admittance  
Diode Forward Voltage (Note 5)  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
200  
ms  
V
|Yfs|  
VSD  
⎯
⎯
⎯
-1.4  
VGS = 0V, IS = -115mA  
⎯
175  
30  
20  
pF  
pF  
pF  
Ciss  
Coss  
Crss  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
VDS = -16V, VGS = 0V  
f = 1.0MHz  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB.  
2. No purposefully added lead.  
3. Pulse width ≤10μS, Duty Cycle ≤1%  
4. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
1 of 4  
www.diodes.com  
March 2009  
© Diodes Incorporated  
DMP2004TK  
Document number: DS30932 Rev. 4 - 2  
1234

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DMP2004TK-7 替代型号

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