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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMN2004K-7
DMN2004K-7 PDF预览

DMN2004K-7

更新时间： 2024-01-13 12:02:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 143K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN2004K-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：14 weeks
风险等级：1.56Samacsys Confidence：
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：282466
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：Undefined or Miscellaneous
Samacsys Package Category：OtherSamacsys Footprint Name：SOT95P240X110-3N
Samacsys Released Date：2017-01-11 16:09:24Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.54 A
最大漏极电流 (ID)：0.41 A最大漏源导通电阻：0.55 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：20 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：350 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMN2004K-7 数据手册

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SPICE MODEL: DMN2004K  
DMN2004K  
Lead-free Green  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT  
TRANSISTOR  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Low On-Resistance: RDS(ON)  
SOT-23  
Low Gate Threshold Voltage  
A
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
Low Input Capacitance  
D
Fast Switching Speed  
B
C
B
Low Input/Output Leakage  
TOP VIEW  
C
G
S
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
ESD Protected up to 2KV  
D
G
E
D
"Green" Device (Note 4)  
H
E
Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability  
G
H
K
M
J
L
J
Mechanical Data  
·
K
Case: SOT-23  
Drain  
L
·
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
M
·
·
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
a
Terminals: Finish ¾ Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
All Dimensions in mm  
Gate  
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking: See Last Page  
ESD protected up to 2KV  
Gate  
Protection  
Diode  
Source  
Ordering & Date Code Information: See Last Page  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
EQUIVALENT CIRCUIT  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Maximum Ratings  
Symbol  
VDSS  
Value  
Units  
20  
8
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current (Note 1)  
VGSS  
Steady  
State  
TA = 25°C  
A = 85°C  
540  
390  
ID  
mA  
T
IDM  
Pd  
Pulsed Drain Current (Note 3)  
1.5  
350  
357  
A
Total Power Dissipation (Note 1)  
mW  
°C/W  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
°C  
Note:  
1. Device mounted on FR-4 PCB.  
2. No purposefully added lead.  
3. Pulse width £10mS, Duty Cycle £1%.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
DS30938 Rev. 2 - 2  
1 of 4  
DMN2004K  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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DMN2004K-7 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Product specification
DMN2004TK DIODES

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