是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.6 | Is Samacsys: | N |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.44 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 | 最高工作温度: | 150 °C |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.45 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMN2005UFG | DIODES |
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N-Channel Mosfet | |
DMN2005UFG-13 | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, | |
DMN2005UFG-7 | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, | |
DMN2005UFGQ | DIODES |
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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2005UPS | DIODES |
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20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2008LFU | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2008LFU-7 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, | |
DMN2009LSS | DIODES |
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5SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2009LSS-13 | DIODES |
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5SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2009UCA4 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |