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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMN2004DWK-7
DMN2004DWK-7 PDF预览

DMN2004DWK-7

更新时间： 2024-01-12 14:30:32
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 146K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMN2004DWK-7 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.57
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.54 A
最大漏极电流 (ID)：0.54 A最大漏源导通电阻：0.55 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：20 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMN2004DWK-7 数据手册

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SPICE MODEL: DMN2004DWK  
DMN2004DWK  
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT  
MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR  
Lead-free Green  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
·
Dual N-Channel MOSFET  
SOT-363  
Low On-Resistance  
Dim  
A
Min  
0.10  
1.15  
2.00  
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
A
D2  
G1  
S1  
B
Fast Switching Speed  
C
C
B
Low Input/Output Leakage  
D
0.65 Nominal  
Ultra-Small Surface Mount Package  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
ESD Protected up to 2KV  
D1  
S2  
G2  
F
0.30  
1.±0  
¾
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
±°  
G
H
H
"Green" Device (Note 4)  
J
K
J
M
Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability  
K
0.90  
0.25  
0.10  
0°  
L
L
D
F
Mechanical Data  
·
M
a
Case: SOT-363  
·
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding  
All Dimensions in mm  
Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0  
G1  
S1  
D2  
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminals Connections: See Diagram  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Alloy 42  
leadframe. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
·
·
·
Marking: See Page 2  
ESD protected up to 2KV  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.006 grams (approximate)  
S2  
G2  
D1  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VDSS  
Value  
Units  
20  
±±  
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current (Note 1)  
VGSS  
Steady  
State  
TA = 25°C  
A = ±5°C  
540  
390  
ID  
mA  
T
IDM  
Pd  
Pulsed Drain Current (Note 3)  
1.5  
200  
A
Total Power Dissipation (Note 1)  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
625  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Note:  
1. Device mounted on FR-4 PCB.  
2. No purposefully added lead.  
3. Pulse width £10mS, Duty Cycle £1%.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
DS30935 Rev. 2 - 2  
1 of 4  
DMN2004DWK  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
DMN2004DWKQ-7 DIODES Small Signal Field-Effect Transistor, 0.54A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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