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DDB6U100N16RRBOSA1 PDF预览

DDB6U100N16RRBOSA1

更新时间： 2024-11-05 20:09:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 230K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-17

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DDB6U100N16RRBOSA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17针数：17
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.59
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THREE PHASE DIODE BRIDGE
JESD-30 代码：R-XUFM-X17元件数量：1
端子数量：17最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DDB6U100N16RRBOSA1 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT  
Diode Module with Chopper-IGBT  
DD B6U 100 N 16 RR  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Netz-Diode / Rectifier diode  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
IFRMSM  
Id  
1600  
60  
V
A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)  
RMS forward current (per chip)  
TC = 100°C  
TC = 97°C  
Ausgangsstrom  
output current  
100  
104  
A
A
Tvj = 25°C, tp = 10ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge forward current  
IFSM  
I²t  
650  
550  
A
A
Tvj = 25°C, tp = 10ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
2100  
1500  
A²s  
A²s  
IGBT  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
VCES  
IC  
1200  
50  
V
A
A
W
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
tp = 1ms  
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom  
repetitive peak collektor current  
ICRM  
Ptot  
VGE  
100  
350  
± 20  
TC = 25°C  
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
Gate-Emitter Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
Schnelle Diode / Fast diode  
Dauergleichstrom  
DC forward current  
IF  
25  
50  
A
A
tp = 1ms  
Periodischer Spitzenstrom  
repetitive peak forward current  
IFRM  
Modul  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
RMS, f = 50Hz, t = 1min  
VISOL  
2,5  
kV  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Netz-Diode / Rectifier diode  
min. typ. max.  
1,55  
Tvj = Tvj max, iF = 100A  
Tvj = Tvj max  
Durchlaßspannung  
forward voltage  
vF  
V
Schleusenspannung  
threshold voltage  
V(TO)  
rT  
0,75  
5,5  
5
V
mΩ  
Tvj = Tvj max  
Ersatzwiderstand  
forward slope resistance  
Tvj = Tvj max,vR = VRRM  
Sperrstrom  
reverse current  
iR  
mA  
IGBT  
Tvj = 25°C, iC = 50A, vGE = 20V  
Tvj = 125°C, iC = 50A, vGE = 20V  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
vCE sat  
2,5 3,2  
3,1  
V
V
Tvj = 25°C, iC = 2mA, vGE = vCE  
Gate-Emitter-Schwellspannung  
gate-emitter threshold voltage  
vGE(TO)  
4,5 5,5 6,5  
BIP PPE 4 rev.2  
A 16/05  
Seite/page 1(3)  
27. Okt 05  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DDB6U100R ETC

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