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DBFS150R12KE330

更新时间： 2024-01-18 11:57:24

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IGBT Module

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DBFS150R12KE330 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS150R12KE3

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung

collector emitter voltage

T_vj= 25°C

V_CES

1200

150

200

Kollektor Dauergleichstrom

DC collector current

T_c= 80°C

T_c= 25°C

I_{C, nom}

I_C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_p= 1ms, T_c= 80°C

I_CRM

300

700

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

T_c= 25°C; Transistor

P_tot

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage

V_GES

+/- 20

150

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forward current

t_p= 1ms

I_FRM

300

Grenzlastintegral

I²t value

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

RMS, f= 50Hz, t= 1min.

I²t

4,56

2,5

k A²s

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

1,7

2,0

max.

2,15

I_C= 150A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C,

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

V_CEsat

V_GE(th)

Q_G

collector emitter saturation voltage

I_C= 150A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C,

Gate Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 6mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C,

5,0

5,8

1,4

10,6

0,4

6,5

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V...+15V

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cut off current

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

I_CES

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: MOD-D2; Mark Münzer

approved: SM TM; Robert Severin

date of publication: 2002-09-03

revision: 3.0

DB_FS150R12KE3_3.0.xls

2002-09-03

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