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DBFS30R06XL420

更新时间： 2024-01-11 14:19:26

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IGBT Module

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DBFS30R06XL420 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS30R06XL4

vorläufige Daten

preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung

collector emitter voltage

T_vj= 25 °C

V_CES

600

I_C,nom.

I_C

Kollektor Dauergleichstrom

DC collector current

T_C= 60 °C

T_C=

25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_p= 1ms, T_C=

I_CRM

60 °C

119

+20

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

T_c= 25°C, Transistor

P_tot

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forward current

t_p= 1ms

I_FRM

Grenzlastintegral

I²t value

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

RMS, f= 50Hz, t= 1min

I²t

110

2,5

A²s

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

1,95

2,20

max.

2,55

V_GE= 15V, T_vj= 25°C, I_C= I_C,nom

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

V_CEsat

V_GE(th)

Q_G

collector emitter saturation voltage

_GE= 15V, T_vj= 125°C, I_C= I_C,nom

Gate Schwellenspannung

gate threshold voltage

_CE= V_GE, T_vj= 25°C, I_C=

0,7 mA

4,5

5,5

0,16

1,35

0,12

6,5

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V...+15V

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cut off current

V_CE

V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

I_CES

600

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: P. Kanschat

approved: M. Hierholzer

date of publication:

revision: 2.0

2002-12-17

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