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DBFZ1200R33KF2

更新时间： 2024-09-24 23:46:31

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IGBT Module

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DBFZ1200R33KF2 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ 1200 R 33 KF2

Datenblatt

data sheet

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

V_CES

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

3300

T_j= 25°C

T_j= -25°C

I_C,nom.

I_C

1200

2000

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

_C= 80°C

_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms, T_C= 80°C

T_C=25°C, Transistor

I_CRM

P_tot

V_GES

I_F

2400

14,7

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

+/- 20V

1200

Dauergleichstrom

DC forward current

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

2400

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

T_j= 125°C

500.000

1.200

6.000

2.600

Spitzenverlustleistung der Diode

maximum power dissipation diode

P_RQM

V_ISOL

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

RMS, f = 50 Hz, Q_PD≤ 10 pC (acc. to IEC 1287)

Teilentladungs-Aussetzspannung

partial discharge extinction voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

min.

typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 1200A, V_GE= 15V, Tvj = 25°C

V_{CE sat}

3,40

4,30

4,25

5,00

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 1200A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 120 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

4,2

5,1

150

6,0

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

µC

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V ... + 15V, V_CE= 1800V

Q_G

V_CE= 3300V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 3300V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

I_CES

0,15

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

150

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: Jürgen Göttert

date of publication : 08.06.99

revision: 3

approved by: Chr. Lübke; 20.07.99

Datenblatt FZ 1200 R 33 KF2

20.07.99

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