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DBFZ400R12KE3B131

更新时间： 2024-02-14 13:17:50

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其他 - ETC		双极性晶体管
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IGBT Module

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Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ400R12KE3 B1

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung

collector emitter voltage

T_vj= 25°C

V_CES

1200

400

650

Kollektor Dauergleichstrom

DC collector current

T_c= 80°C

T_c= 25°C

I_{C, nom}

I_C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_p= 1ms, T_c= 80°C

I_CRM

800

2250

+/- 20

400

800

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

T_c= 25°C; Transistor

P_tot

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forward current

t_p= 1ms

I_FRM

Grenzlastintegral

I²t value

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

RMS, f= 50Hz, t= 1min.

I²t

k A²s

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

2,5

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

1,7

2,0

max.

2,15

I_C= 400A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

V_CEsat

V_GE(th)

Q_G

collector emitter saturation voltage

I_C= 400A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 16mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

5,0

5,8

3,7

1,1

6,5

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V...+15V

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cut off current

I_CES

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

I_GES

400

prepared by: MOD-D2; Mark Münzer

approved: SM TM; Wilhelm Rusche

date of publication: 2002-08-07

revision: 3.1

DB_FZ400R12KE3_B1_3.1

2002-08-07

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