Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FZ3600R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
VCES
1200
V
3600
4700
A
A
IC, nom
IC
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Tc= 70°C
Tc= 25°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tp= 1ms, Tc= 80°C
ICRM
Ptot
VGES
IF
7200
14,8
+/- 20
3600
7200
1540
2,5
A
kW
V
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
IFRM
A
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
I²t
k A²s
kV
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
VISOL
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
-
typ.
1,7
2
max.
2,15
IC= 3600A, VGE= 15V, Tvj= 25°C,
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter satration voltage
VCEsat
VGE(th)
QG
IC= 3600A, VGE= 15V, Tvj= 125°C,
-
t.b.d.
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 144mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C,
5
-
5,8
35
258
12
-
6,5
V
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V; VCE=...V
-
-
µC
nF
nF
mA
nA
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C,
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
Cies
-
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Cres
-
-
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
ICES
-
5
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
IGES
-
-
400
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
approved: SM TM; Christoph Lübke
date of publication: 2002-07-29
revision: 2.0
DB_FZ3600R12KE3_2.0.xls
2002-07-29
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