Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS35R12KE3 G
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj= 25°C
VCES
1200
V
35
55
A
A
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Tc= 80°C
Tc= 25°C
IC, nom
IC
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tp= 1ms, Tc= 80°C
ICRM
70
200
+20
35
A
W
V
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Ptot
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
VGES
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
IFRM
70
A
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
I²t
300
2,5
A²s
kV
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
VISOL
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
-
typ.
1,7
2,0
max.
2,15
-
IC= 35A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
VCEsat
VGE(th)
QG
collector emitter saturation voltage
IC= 35A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
-
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 1,5mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
5,0
5,8
0,33
2,5
0,09
-
6,5
V
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V
µC
nF
nF
mA
nA
-
-
-
-
-
-
-
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
Cies
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Cres
-
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
ICES
5
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
IGES
-
400
prepared by: Mod-D2; M. Münzer
approved: SM TM; Robert Severin
date of publication: 2002-09-03
revision: 3.0
DB_FS35R12KE3_G_3.0.xls
2002-09-03
1 (8)