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DBFS300R17KE320

更新时间： 2024-09-23 23:46:31

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IGBT Module

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DBFS300R17KE320 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS 300 R17 KE3

vorläufige Daten

preliminary data

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

_vj= 25°C

V_CES

1700

_C= 80 °C

_C= 25 °C

I_C,nom.

I_C

300

375

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collctor current

_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

600

1660

+/- 20V

300

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

I_FRM

tp = 1 ms

600

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

k A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

t.b.d.

3,4

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min.

typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 300A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,0

2,45

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 300A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

2,4

t.b.d.

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 12mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

5,2

5,8

3,4

6,4

Gateladung

gate charge

V_GE= -15V ... +15V

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

0,9

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

I_CES

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 125°C

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

I_GES

400

prepared by: Alfons Wiesenthal

approved by: Christoph Lübke

date of publication: 2002-07-26

revision: 2.0

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