Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FS225R12KE3
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Tvj=25° C
VCES
1200
V
225
325
A
A
Tc= 80°C
Tc= 25°C
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
IC, nom
IC
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
tp= 1ms, Tc= 80°C
ICRM
450
1100
+/- 20
225
450
10
A
W
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Tc= 25°C; Transistor
Ptot
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
VGES
V
Dauergleichstrom
DC forward current
IF
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
tp= 1ms
IFRM
A
Grenzlastintegral
I²t value
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
I²t
k A²s
kV
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
VISOL
2,5
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
min.
-
typ.
1,7
2,0
max.
2,15
IC= 225A,VGE= 15V, Tvj= 25°C
V
V
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
VCEsat
VGE(th)
QG
collector emitter saturation voltage
IC= 225A,VGE= 15V, Tvj= 125°C
-
t.b.d.
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC= 9mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
5,0
5,8
2,1
16
0,75
-
6,5
V
Gateladung
gate charge
VGE= -15V...+15V
µC
nF
nF
mA
nA
-
-
-
-
-
-
-
Eingangskapazität
input capacitance
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cies
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Cres
-
Kollektor Emitter Reststrom
V
GE= 0V, Tvj= 25°C, VCE= 600V
CE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
ICES
5
collector emitter cutt off current
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
V
IGES
-
400
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
approved: SM TM; Wilhelm Rusche
date of publication: 2002-10-28
revision: 2.0
DB_FS225R12KE3_2.0
2002-10-28
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