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DBFS150R12KE3G20

更新时间： 2024-02-10 11:15:08

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其他 - ETC		双极性晶体管
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IGBT Module

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DBFS150R12KE3G20 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FS150R12KE3 G

vorläufige Daten

preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / electrical properties

Kollektor Emitter Sperrspannung

collector emitter voltage

T_vj=25° C

V_CES

1200

150

200

T_c= 80°C

T_c= 25°C

Kollektor Dauergleichstrom

DC collector current

I_{C, nom}

I_C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_p= 1ms, T_c= 80°C

I_CRM

300

700

+/- 20

150

300

4,6

Gesamt Verlustleistung

total power dissipation

T_c= 25°C; Transistor

P_tot

Gate Emitter Spitzenspannung

gate emitter peak voltage

V_GES

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forward current

t_p= 1ms

I_FRM

Grenzlastintegral

I²t value

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

RMS, f= 50Hz, t= 1min.

I²t

k A²s

Isolations Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

2,5

Charakteristische Werte / characteristic values

Transistor Wechselrichter / transistor inverter

min.

typ.

1,7

2,0

max.

2,15

I_C= 150A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

Kollektor Emitter Sättigungsspannung

V_CEsat

V_GE(th)

Q_G

collector emitter saturation voltage

I_C= 150A,V_GE= 15V, T_vj= 125°C

t.b.d.

Gate Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 6mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

5,0

5,8

1,4

10,6

0,5

6,5

Gateladung

gate charge

_GE= -15V...+15V

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f= 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

C_res

Kollektor Emitter Reststrom

collector emitter cutt off current

_GE= 0V, T_vj= 25°C, V_CE= 600V

I_CES

Gate Emitter Reststrom

gate emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: MOD-D2; Mark Münzer

approved: SM TM; Wilhelm Rusche

date of publication: 2002-10-28

revision: 2.0

DB_FS150R12KE3_G_2.0

2002-10-28

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