生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | WDIP, DIP28,.6 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.61 | 风险等级: | 5.75 |
最长访问时间: | 20 ns | 其他特性: | POWER SWITCHED PROM |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 37.084 mm |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.715 mm |
最大待机电流: | 0.015 A | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.12 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C266-20WI | CYPRESS |
获取价格 |
UVPROM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 | |
CY7C266-25DC | CYPRESS |
获取价格 |
OTP ROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
CY7C266-25DI | CYPRESS |
获取价格 |
OTP ROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
CY7C266-25DMB | ETC |
获取价格 |
EPROM|8KX8|CMOS|DIP|28PIN|CERAMIC | |
CY7C266-25JC | CYPRESS |
获取价格 |
8Kx8 Power-Switched and Reprogrammable PROM | |
CY7C266-25LMB | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM | |
CY7C266-25QMB | CYPRESS |
获取价格 |
UVPROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, LCC-32 | |
CY7C266-25WI | CYPRESS |
获取价格 |
UVPROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 | |
CY7C266-25WMB | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM | |
CY7C266-35DC | CYPRESS |
获取价格 |
OTP ROM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 |