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CY7C266-25QMB

更新时间： 2024-11-07 20:35:31

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		可编程只读存储器电动程控只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	468K
描述
UVPROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, LCC-32

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CY7C266-25QMB 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	WQCCN, LCC32,.45X.55	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.61	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
其他特性：	POWER SWITCHED PROM	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CQCC-N32	长度：	13.97 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	UVPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	WQCCN
封装等效代码：	LCC32,.45X.55	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER, WINDOW	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	12.5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	3.048 mm	最大待机电流：	0.015 A
子类别：	EPROMs	最大压摆率：	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C266-25WI	CYPRESS	获取价格	UVPROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28
CY7C266-25WMB	ETC	获取价格	x8 EPROM
CY7C266-35DC	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
CY7C266-35DI	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28
CY7C266-35LMB	ETC	获取价格	x8 EPROM
CY7C266-35PI	CYPRESS	获取价格	OTP ROM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
CY7C266-35WI	CYPRESS	获取价格	UVPROM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28
CY7C266-35WMB	ETC	获取价格	x8 EPROM
CY7C2663KV18	CYPRESS	获取价格	144-Mbit QDRÂ® II SRAM Four-Word Burst Archit
CY7C2663KV18-450BZI	CYPRESS	获取价格	QDR SRAM, 8MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165