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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.23 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | POWER SWITCHED PROM |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 8192 words | 字数代码： | 8000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C266-35LMB | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
|
| CY7C266-35PI | CYPRESS |
获取价格 |
OTP ROM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
|
| CY7C266-35WI | CYPRESS |
获取价格 |
UVPROM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 |
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| CY7C266-35WMB | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| CY7C2663KV18 | CYPRESS |
获取价格 |
144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Archit |
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| CY7C2663KV18-450BZI | CYPRESS |
获取价格 |
QDR SRAM, 8MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 |
|
| CY7C2663KV18-450BZI | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous SRAM |
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| CY7C2663KV18-450BZXC | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous SRAM |
|
| CY7C2663KV18-550BZI | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous SRAM |
|
| CY7C2663KV18-550BZXC | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous SRAM |
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