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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 35 ns |
| 其他特性： | POWER SWITCHED PROM | JESD-30 代码： | R-PDIP-T28 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | OTP ROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C266-35WI | CYPRESS |
获取价格 |
UVPROM, 8KX8, 35ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 |
|
| CY7C266-35WMB | ETC |
获取价格 |
x8 EPROM |
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| CY7C2663KV18 | CYPRESS |
获取价格 |
144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Archit |
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| CY7C2663KV18-450BZI | CYPRESS |
获取价格 |
QDR SRAM, 8MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 |
|
| CY7C2663KV18-450BZI | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous SRAM |
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| CY7C2663KV18-450BZXC | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous SRAM |
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| CY7C2663KV18-550BZI | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous SRAM |
|
| CY7C2663KV18-550BZXC | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous SRAM |
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| CY7C2663KV18-550BZXI | INFINEON |
获取价格 |
Synchronous SRAM |
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| CY7C266-45DC | CYPRESS |
获取价格 |
OTP ROM, 8KX8, 45ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 |
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