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CY7C266-55DMB PDF预览

CY7C266-55DMB

更新时间： 2024-11-07 20:28:19
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 可编程只读存储器OTP只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 259K
描述
OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28

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CY7C266-55DMB 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：0.600 INCH, CERDIP-28针数：28
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.82
最长访问时间：55 ns其他特性：POWER SWITCHED PROM
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-GDIP-T28
JESD-609代码：e0内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：OTP ROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP28,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V编程电压：12.5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流：0.015 A子类别：OTP ROMs
最大压摆率：0.12 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CY7C266-55DMB 数据手册

 浏览型号CY7C266-55DMB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY7C266-55DMB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C266-55DMB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C266-55DMB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C266-55DMB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C266-55DMB的Datasheet PDF文件第7页 
1CY7C266  
CY7C266  
8Kx8 Power-Switched and  
Reprogrammable PROM  
powers down into a low-power standby mode. It is packaged  
in a 600-mil-wide package. The reprogrammable packages  
are equipped with an erasure window; when exposed to UV  
light, these PROMs are erased and can then be repro-  
grammed. The memory cells utilize proven EPROM  
Features  
• CMOS for optimum speed/power  
• Windowed for reprogrammability  
• High speed  
floating-gate  
technology  
and  
byte-wide  
intelligent  
— 20 ns (Commercial)  
programming algorithms.  
• Low power  
The CY7C266 is a plug-in replacement for EPROM devices.  
The EPROM cell requires only 12.5V for the super voltage and  
low-current requirements allow for gang programming. The  
EPROM cells allow for each memory location to be tested  
100%, as each location is written into, erased, and repeatedly  
exercised prior to encapsulation. Each PROM is also tested  
for AC performance to guarantee that after customer  
programming, the product will meet DC and AC specification  
limits.  
— 660 mW (Commercial)  
• Super low standby power  
— Less than 85 mW when deselected  
• EPROM technology 100% programmable  
• 5V ±10% VCC, commercial and military  
• TTL-compatible I/O  
• Direct replacement for 27C64 EPROMs  
Reading is accomplished by placing an active LOW signal on  
OE and CE. The contents of the memory location addressed  
by the address lines (A0 through A12) will become available on  
the output lines (O0 through O7).  
Functional Description  
The CY7C266 is a high-performance 8192-word by 8-bit  
CMOS PROM. When deselected, the CY7C266 automatically  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
CerDIP  
O
O
7
Top View  
A
0
1
28  
27  
26  
V
V
CC  
CC  
A
1
2
A
V
CC  
12  
A
2
3
A
7
6
NC  
ROW  
PROGRAMMABLE  
ARRAY  
A
6
4
MULTIPLEXER  
25  
24  
23  
22  
21  
A
8
ADDRESS  
A
3
A
5
5
A
9
A
4
6
A
4
A
11  
A
3
A
2
7
8
OE  
O
O
5
A
5
A
10  
A
1
9
20  
19  
18  
17  
16  
7C266  
CE  
A
6
A
0
10  
11  
12  
13  
O
7
O
6
ADDRESS  
DECODER  
A
7
O
0
4
O
1
O
5
A
8
O
2
O
4
A
9
GND  
O
3
14  
15  
O
COLUMN  
ADDRESS  
3
A
10  
11  
LCC  
Top View  
A
A
12  
O
O
2
4
3
2
323130  
1
A
8
A
29  
6
POWER DOWN  
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
A
A
5
4
28  
27  
9
A
A
11  
1
A
3
26 NC  
A
2
OE  
10  
25  
24  
A
A
1
A
0
23 CE  
7C266  
NC  
O
0
O
7
O
6
22  
21  
O
0
14151617 181920  
CE  
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-04005 Rev. *B  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Revised December 27, 2002  
1234567...11

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与CY7C266-55DMB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C266-55LMB CYPRESS

获取价格

 		OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
CY7C266-55PC CYPRESS

获取价格

 		OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
CY7C266-55PI CYPRESS

获取价格

 		OTP ROM, 8KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28
CY7C266-55QMB CYPRESS

获取价格

 		UVPROM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, CERAMIC, LCC-32
CY7C266-55WMB ETC

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 		x8 EPROM
CY7C2665KV18 CYPRESS

获取价格

 		144-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Archit
CY7C2665KV18-450BZI CYPRESS

获取价格

 		QDR SRAM, 4MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165
CY7C2665KV18-450BZI INFINEON

获取价格

 		Synchronous SRAM
CY7C2665KV18-450BZXI INFINEON

获取价格

 		Synchronous SRAM
CY7C2665KV18-550BZI INFINEON

获取价格

 		Synchronous SRAM

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