是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.600 INCH, CERDIP-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.71 | 风险等级: | 5.33 |
最长访问时间: | 20 ns | 其他特性: | POWER SWITCHED PROM |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | OTP ROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.015 A |
子类别: | OTP ROMs | 最大压摆率: | 0.12 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C266-20DI | CYPRESS |
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OTP ROM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
CY7C266-20JC | CYPRESS |
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8Kx8 Power-Switched and Reprogrammable PROM | |
CY7C266-20WC | CYPRESS |
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8Kx8 Power-Switched and Reprogrammable PROM | |
CY7C266-20WI | CYPRESS |
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UVPROM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-28 | |
CY7C266-25DC | CYPRESS |
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OTP ROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
CY7C266-25DI | CYPRESS |
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OTP ROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | |
CY7C266-25DMB | ETC |
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EPROM|8KX8|CMOS|DIP|28PIN|CERAMIC | |
CY7C266-25JC | CYPRESS |
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8Kx8 Power-Switched and Reprogrammable PROM | |
CY7C266-25LMB | ETC |
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x8 EPROM | |
CY7C266-25QMB | CYPRESS |
获取价格 |
UVPROM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQCC32, WINDOWED, LCC-32 |