是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | 0.300 INCH, DIP-24 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.52 | 最长访问时间: | 10 ns |
其他特性: | MEMORY RESET FUNCTION | I/O 类型: | SEPARATE |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T24 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 31.623 mm | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP24,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.826 mm | 最大待机电流: | 0.09 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C150-10SC | CYPRESS |
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1Kx4 Static RAM | |
CY7C150-10SCR | CYPRESS |
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Cache SRAM, 1KX4, 10ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-24 | |
CY7C150-12DMB | CYPRESS |
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1Kx4 Static RAM | |
CY7C150-12LC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C150-12LMB | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C150-12PC | CYPRESS |
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1Kx4 Static RAM | |
CY7C150-12SC | CYPRESS |
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1Kx4 Static RAM | |
CY7C150-12SCR | CYPRESS |
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Cache SRAM, 1KX4, 12ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-24 | |
CY7C150-15DMB | CYPRESS |
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1Kx4 Static RAM | |
CY7C150-15LC | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |