生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP24,.3 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.55 |
最长访问时间: | 12 ns | 其他特性: | MEMORY RESET FUNCTION |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
长度: | 31.877 mm | 内存密度: | 4096 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 1KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP24,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.1 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C150-12LC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C150-12LMB | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C150-12PC | CYPRESS |
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1Kx4 Static RAM | |
CY7C150-12SC | CYPRESS |
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1Kx4 Static RAM | |
CY7C150-12SCR | CYPRESS |
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Cache SRAM, 1KX4, 12ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOIC-24 | |
CY7C150-15DMB | CYPRESS |
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1Kx4 Static RAM | |
CY7C150-15LC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C150-15LMB | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C150-15PC | CYPRESS |
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1Kx4 Static RAM | |
CY7C150-15SC | CYPRESS |
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1Kx4 Static RAM |